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表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法现行

Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

标准号：GB/T 32495-2016

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基本信息

标准号：GB/T 32495-2016

发布时间：2016-02-24

实施时间：2017-01-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：马农农、陈潇、何友琴、王东雪

出版机构：中国标准出版社

标准分类：基础标准与通用方法

ICS分类：化学分析

提出单位：全国微束标准化技术委员会(SAC/TC 38)

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国微束标准化技术委员会(SAC/TC 38)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。

替代情况

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引用标准

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