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用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法已作废

STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

标准号：GB/T 14863-1993

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基本信息

标准号：GB/T 14863-1993

发布时间：1993-01-02

实施时间：1994-10-01

首发日期：1993-12-30

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：

作废日期：2014-08-15

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半导体二极管

ICS分类： 29.040.30

起草单位：机械电子工业部所和所

归口单位：信息产业部（电子）

发布部门：国家技术监督局

主管部门：信息产业部（电子）

标准简介

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。

替代情况

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