当前位置：
首页 >
氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 现行
Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
标准号：GB/T 32282-2015
基本信息
标准号：GB/T 32282-2015
发布时间：2015-12-10
实施时间：2016-11-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属物理性能试验方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。本标准适用于位错密度在1×103 个/cm2~5×108 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
标准摘要
|
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司。 本标准主要起草人:曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科。 |
推荐检测机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐认证机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐培训机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
© 2018 北京寰标伟业科技发展有限公司版权所有并保留所有权利。
ICP备案证书号：京ICP备17031081号-1 客服电话：010-62050868
