当前位置： 首页 > CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求即将实施

Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

标准号：GB/T 41033-2021

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：GB/T 41033-2021

发布时间：2021-12-31

实施时间：2022-07-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉

出版机构：中国标准出版社

标准分类：航天用液压元件与附件

ICS分类：航空航天用零部件

提出单位：全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所

归口单位：全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

标准简介

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求 即将实施