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硅片翘曲度非接触式测试方法现行

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

标准号：GB/T 6620-2009

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基本信息

标准号：GB/T 6620-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1986-07-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：张静雯、蒋建国、田素霞、刘玉芹、楼春兰

出版机构：中国标准出版社

标准分类：元素半导体材料

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司，万向硅峰电子股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm 的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

标准摘要

本标准修改采用SEMIMF6570705《硅片翘曲度和总厚度变化非接触式测试方法》。
本标准与SEMIMF6570705相比,主要有如下变化:
---本标准没有采用SEMI标准中总厚度变化测试部分内容;
---本标准测试硅片厚度范围比SEMI标准中要窄;
---本标准编制格式按GB/T1.1规定。
本标准代替GB/T6620-1995《硅片翘曲度非接触式测试方法》。
本标准与GB/T6620-1995相比,主要有如下变动:
---修改了测试硅片厚度范围;
---增加了引用文件、术语、意义和用途、干扰因素和测量环境条件等章节;
---修改了仪器校准部分内容;
---增加了仲裁测量;
---删除了总厚度变化的计算;
---增加了对仲裁翘曲度平均值和标准偏差的计算。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司,万向硅峰电子股份有限公司。
本标准主要起草人:张静雯、蒋建国、田素霞、刘玉芹、楼春兰。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB6620-1986、GB/T6620-1995。

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