当前位置： 首页 > 半导体分立器件3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范

半导体分立器件3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA601 C band silicon bipolar power transistor

标准号：SJ 50033/146-2000

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：SJ 50033/146-2000

发布时间：2000-10-20

实施时间：2000-10-20

首发日期：

出版单位：中国电子工业出版社查看详情>

起草人：黄玉英、钟志新、荣炳麟

出版机构：中国电子工业出版社

标准分类： >>>>L5961

提出单位：中华人民共和国信息产业部

起草单位：信息产业部电子第五十五研究所

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中华人民共和国信息产业部

标准简介

本标准适用于器件的研制、生产和采购。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

半导体分立器件3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范 现行