用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 现行
Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry
标准号：GB/T 29849-2013
基本信息
标准号：GB/T 29849-2013
发布时间：2013-11-12
实施时间：2014-04-15
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：褚连青、王奕、徐静、王鑫、何秀坤、裴会川、冯亚彬、鲁文峰、张雪囡
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 元素半导体材料
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
标准简介
本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。
标准摘要
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。 本标准主要起草人:褚连青、王奕、徐静、王鑫、何秀坤、裴会川、冯亚彬、鲁文峰、张雪囡。 |
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