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椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法现行

Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

标准号：GB/T 31225-2014

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基本信息

标准号：GB/T 31225-2014

发布时间：2014-09-30

实施时间：2015-04-15

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰

出版机构：中国标准出版社

标准分类：基础标准与通用方法

ICS分类：长度和角度测量综合

提出单位：中国科学院

起草单位：上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心

归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC279)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：中国科学院

标准简介

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

标准摘要

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由中国科学院提出。
本标准由全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC279)归口。
本标准起草单位:上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。
本标准主要起草人:金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰

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