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水平法砷化镓单晶及切割片 现行

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

标准号:GB/T 11094-2007

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基本信息

标准号:GB/T 11094-2007
发布时间:2007-12-18
实施时间:2008-02-01
首发日期:1989-03-31
出版单位:中国标准出版社查看详情>
起草人:武壮文、王继荣、张海涛、于洪国
出版机构:中国标准出版社
标准分类: 化合物半导体材料
ICS分类:半导体材料
提出单位:中国有色金属工业协会
起草单位:北京有色金属研究总院
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门:中国有色金属工业协会

标准简介

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。

标准摘要

本标准是对GB/T11094-1989《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与原标准相比,主要变动如下:
---单晶生长方向上增加了近几年在生产中大量使用的<110>晶带上由<111>B 方向向最远的<100>A 方向偏转0°~20°生长单晶,明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定;
---明确了晶锭作为单晶产品;
---切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为40mm、50mm 以及矩形和D 形片的规定;
---增加了目前大量使用的直径50.8mm、63.5mm 切割片和国际上少量使用的直径76mm切割片的规定等等。
本标准实施之日代替GB/T11094-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人:武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11094-1989。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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