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硅开关二极管反向击穿电压的测试方法已废止

Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes

标准号：SJ 966-1975

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基本信息

标准号：SJ 966-1975

发布时间：1975-07-26

实施时间：1976-06-01

首发日期：

出版单位：中国电子工业出版社查看详情>

起草人：

作废日期：2010-01-20

出版机构：中国电子工业出版社

标准分类：半导体二极管

发布部门：中华人民共和国第四机械工业部

标准简介

本标准适用于硅开关二极管反向击穿电压的测试。测试反向击穿电压总的要求应符合SJ962-75.

替代情况

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引用标准

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采标情况

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