当前位置： 首页 > 决绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法

决绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法现行

Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal gallium arsenide

标准号：SJ 20844-2002

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：SJ 20844-2002

发布时间：2002-10-30

实施时间：2003-03-01

首发日期：

出版单位：工业电子出版社查看详情>

起草人：

出版机构：工业电子出版社

标准分类：电子技术专用材料

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六所

标准简介

本标准规定了半绝缘砷化镓晶片中电阻率、碳浓度、EL2浓度和PL谱微区均匀性测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中电阻率、碳浓度、EL2浓度和PL谱微区均匀性的测试。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

决绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法 现行