电子设备用固定电容器 第2部分：分规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 现行
Fixed capacitors for use in electronic equipment—Part 2:Sectional specification Fixed metallized polyethylene-terephthalate film dielectric d.c.capacitors
标准号：GB/T 7332-2011
基本信息
标准号：GB/T 7332-2011
发布时间：2011-12-30
实施时间：2012-07-01
首发日期：1987-03-02
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：李素兰、宁小波、张素霞、樊金河、李瑞菊
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 电容器
ICS分类：纸介电容器和塑料膜电容器
提出单位：中华人民共和国工业和信息化部
起草单位：鹤壁市华中科技电子有限责任公司
归口单位：全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/TC 165)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/TC 165)
标准简介
本部分适用于电子设备用的以金属化层为电极并以聚乙烯对苯二甲酸酯(简称聚酯)膜为介质的直流固定电容器。这类电容器可能具有基于使用条件的“自愈特性”。主要用于交流分量小于额定电压的场合。本部分电容器包括两个性能等级,1级为长寿命用途,2级为一般用途。本部分不包括抑制电源电磁干扰用固定电容器和金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流片式固定电容器。这两类电容器分别包括在IEC60384-14《电子设备用固定电容器 第14部分:分规范 抑制电源电磁干扰用固定电容器》及IEC60384-19《电子设备用固定电容器 第19部分:分规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流片式固定电容器》部分中。
标准摘要
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《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分: ———第1部分:总规范(GB/T2693—2001/IEC60384-1:1999); ———第2部分:分规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(GB/T7332—2011/IEC60384-2:2005); ———第2-1部分:空白详细规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平E和EZ(IEC60384-2-1:2005); ———第3部分:分规范 表面安装MnO2 固体电解质钽固定电容器(IEC60384-3:2007); ———第3-1部分:空白详细规范 表面安装MnO2 固体电解质钽固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-3-1:2007); ———第4部分:分规范 固体和非固体电解质铝电解电容器(GB/T5993—2003/IEC60384-4:1998,第1号修改单:2000); ———第4-1部分:空白详细规范 非固体电解质铝电解电容器 评定水平EZ(GB/T5994—2003/IEC60384-4:2000); ———第4-2部分:空白详细规范 固体(MnO2)电解质的铝电解固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-4-2:2007); ———第6部分:分规范 金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器(IEC60384-6:2005); ———第6-1部分:空白详细规范 金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器(IEC60384-6-1:2005); ———第7部分:分规范 金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器(GB/T10185); ———第7-1部分:空白详细规范 金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器 评定水平E(可供认证用)(GB/T10186); ———第8部分:分规范 1类瓷介固定电容器(GB/T5966—2011/IEC60384-8:2005); ———第8-1部分:空白详细规范 1 类瓷介固定电容器 评定水平EZ(GB/T5967—2011/IEC60384-8-1:2005); ———第9部分:分规范 2类瓷介固定电容器(GB/T5968—2011/IEC60384-9:2005); ———第9-1部分:空白详细规范 2类瓷介固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-9-1:2005); ———第11部分:分规范 金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器(IEC60384-11:2008); ———第11-1部分:空白详细规范 金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器(IEC60384-11-1:2008); ———第12部分:分规范 金属箔式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器(IEC60384-12:1988); ———第12-1部分:空白详细规范 金属箔式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平E(IEC60384-12-1:1988); ———第13部分:分规范 金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器(IEC60384-13:2006); ———第13-1部分:空白详细规范 金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器 评定水平E(IEC60384-13-1:2006); ———第14部分:分规范 抑制电源电磁干扰用固定电容器(GB/T14472—1998/IEC60384-14:1993,第1号修改单:1995); ———第14-1部分:空白详细规范 抑制电源电磁干扰用固定电容器 评定水平D(GB/T14473—GB/T7332—2011/IEC60384-2:2005 1998/IEC60384-14-1:1993); ———第15部分:分规范 非固体或固体电解质钽电容器(GB/T7213—2003/IEC60384-15:1982,第1号修改单:1987,第2号修改单:1992); ———第15-1部分:空白详细规范 非固体电解质箔电极钽电容器 评定水平E(可供认证用) (GB/T12794—1991/IEC60384-15-1:1984); ———第15-2部分:空白详细规范 非固体电解质多孔阳极钽电容器 评定水平E(可供认证用) (GB/T12795—1991/IEC60384-15-2:1984); ———第15-3部分:空白详细规范 固体电解质和多孔阳极钽电容器 评定水平E(GB/T7214—2003/IEC60384-15-3:1992); ———第16部分:分规范 金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器(IEC60384-16:2005); ———第16-1部分:空白详细规范 金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器 评定水平E 和EZ(GB/T10191—2011/IEC60384-16-1:2005); ———第17部分:分规范 金属化聚丙烯薄膜介质交流和脉冲固定电容器(IEC60384-17:2005); ———第17-1部分:空白详细规范 金属化聚丙烯薄膜介质交流和脉冲固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-17-1:2005); ———第18部分:分规范 固体(MnO2)和非固体电解质片式铝固定电容器(GB/T17206—1998/IEC60384-18:1993,第1号修改单:1998); ———第18-1部分:空白详细规范 表面安装固体(MnO2)电解质铝固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-18-1:2007); ———第18-2部分:空白详细规范 非固体电解质片式铝固定电容器 评定水平E(GB/T17208—1998/IEC60384-18-2:1993); ———第19部分:分规范 表面安装金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(IEC60384-19:2006);———第19-1部分:空白详细规范 表面安装金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平E(IEC60384-19-1:2006); ———第21部分:分规范 表面安装1类多层瓷介固定电容器(GB/T21041—2007/IEC60384-21:2004); ———第21-1 部分:空白详细规范 表面安装1 类多层瓷介固定电容器 评定水平EZ(GB/T21038—2007/IEC60384-21-1:2004); ———第22部分:分规范 表面安装2类多层瓷介固定电容器(GB/T21042—2007/IEC60384-22:2004); ———第22-1 部分:空白详细规范 表面安装2 类多层瓷介固定电容器 评定水平EZ(GB/T21040—2007/IEC60384-22-1:2004)。 本部分为《电子设备用固定电容器》系列国家标准的第2部分。 本部分按GB/T1.1—2009和GB/T20000.2—2009给出的规则起草。 本部分使用翻译法等同采用IEC60384-2:2005《电子设备用固定电容器 第2部分:分规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器》。 与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下: ———GB/T321—2005 优先数和优先数系(ISO3:1973,IDT) ———GB/T2421.1—2008 电工电子产品环境试验 概述和指南(IEC60068-1:1988,IDT) ———GB/T2693—2001 电子设备用固定电容器 第1部分:总规范(IEC60384-1:1999,IDT) ———GB/T7333 电子设备用固定电容器 第2-1部分:空白详细规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平E(IEC60384-2-1:2005,IDT) 本部分做了下列编辑性修改: ———删除IEC前言; ———本标准一词改为本部分。 本部分代替GB/T7332—1996。本部分与GB/T7332—1996相比,主要变化如下: ———增加了金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平EZ; ———A1试验分组的检查水平“S-4”、A2试验分组的检查水平“Ⅱ”均调整为“S-3”; ———调整了充放电试验的充放电速率试验值; ———振动试验的振幅、碰撞试验的加速度及冲击试验峰值加速度分别调整为“0.75mm或100m/s2”、“400m/s2 或100m/s2”和“300m/s2,500m/s2,1000m/s2”。 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本部分由全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/TC165)归口。 本部分起草单位:鹤壁市华中科技电子有限责任公司。 本部分主要起草人:李素兰、宁小波、张素霞、樊金河、李瑞菊。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB7332—88; ———GB/T7332—1996。 |
标准目录
| 前言 Ⅰ 1 总则 1 1.1 范围 1 1.2 目的 1 1.3 规范性引用文件 1 1.4 详细规范中应规定的内容 2 1.5 术语和定义 2 1.6 标志 3 2 优先额定值和特性 3 2.1 优先特性 3 2.2 优先额定值 4 3 质量评定程序 4 3.1 初始制造阶段 4 3.2 结构类似元件 4 3.3 放行批证明记录 4 3.4 鉴定批准 4 3.5 质量一致性检验 11 4 试验和测量程序 13 4.1 外观和尺寸检查 13 4.2 电气试验 13 4.3 引出端强度 16 4.4 耐焊接热 16 4.5 可焊性 16 4.6 温度快速变化 16 4.7 振动 16 4.8 碰撞 17 4.9 冲击 17 4.10 气候顺序 17 4.11 稳态湿热 18 4.12 耐久性 18 4.13 充电和放电 19 4.14 元件耐溶剂 20 4.15 标志耐溶剂 20 参考文献 21 |
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