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锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法现行

Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal

标准号：GB 11297.6-1989

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基本信息

标准号：GB 11297.6-1989

发布时间：1988-10-09

实施时间：1990-01-01

首发日期：1989-03-31

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：李文华

出版机构：中国标准出版社

标准分类：电子技术专用材料

ICS分类： 29.040.30

起草单位：机械电子工业部第十一研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布部门：中华人民共和国机械电子工业部

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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