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硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法已作废

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques

标准号：GB/T 14142-1993

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基本信息

标准号：GB/T 14142-1993

发布时间：1993-02-06

实施时间：1993-10-01

首发日期：1993-02-06

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：

作废日期：2018-04-01

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属无损检验方法

ICS分类： 29.040.30

起草单位：峨眉半导体材料研究所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布部门：国家技术监督局

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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