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掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 已作废
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
标准号：GB/T 13389-1992
基本信息
标准号：GB/T 13389-1992
发布时间：1992-02-19
实施时间：1992-10-01
首发日期：1992-02-19
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：过惠芬、陈永同、吴道荣
作废日期：2015-09-01
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.040.30
提出单位：中国有色金属工业总公司
起草单位：峨嵋半导体材料研究所
归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
发布部门：国家技术监督局
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001~10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012~5×1020cm-3(电阻率0.0002~4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
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