碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 即将实施
Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
标准号：GB/T 41153-2021
基本信息
标准号：GB/T 41153-2021
发布时间：2021-12-31
实施时间：2022-07-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
标准简介
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度（原子个数百分比）不大于1%。
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