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太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 现行
Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells
标准号：GB/T 30860-2014
基本信息
标准号：GB/T 30860-2014
发布时间：2014-07-24
实施时间：2015-04-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：徐自亮、任皓、陈佳洵、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、黄黎
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属物理性能试验方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)
起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品,则需相关各方协商同意。
标准摘要
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心。 本标准主要起草人:徐自亮、任皓、陈佳洵、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、黄黎。 |
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