金硅面垒型探测器 现行
Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
标准号：GB/T 13178-2008
基本信息
标准号：GB/T 13178-2008
发布时间：2008-07-02
实施时间：2009-04-01
首发日期：1991-04-11
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：李志勇
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 核探测器
ICS分类：核能工程
提出单位：中国核工业集团公司
起草单位：中核（北京）核仪器厂
归口单位：全国核仪器仪表标准化技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国核仪器仪表标准化技术委员会
标准简介
本标准参考了IEC 60333：1993《核仪器 半导体带电粒子探测器 测试程序》。本标准代替GB/T 13178-1991《金硅面垒型探测器》。本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器（简称探测器）的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器（不包括位置灵敏探测器）。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。本标准保留GB/T 13178-1991的大部分内容，对其的主要修改如下：——增加前言；——引用新的规范性文件；——产品的外形及结构尺寸仅保留A型，删去原标准的B型和C型；——部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为300μm一类，而主要性能增加“允许最大噪声”。
标准摘要
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本标准参考了IEC60333:1993《核仪器 半导体带电粒子探测器 测试程序》。 本标准代替GB/T13178-1991《金硅面垒型探测器》(以下简称原标准)。 本标准保留GB/T13178-1991的大部分内容,对其的主要修改如下: ---增加前言; ---引用新的规范性文件; ---产品的外形及结构尺寸仅保留A 型,删去原标准的B型和C 型; ---部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为300μm 一类,而主要性能增加允许最大噪声。 本标准由中国核工业集团公司提出。 本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。 本标准起草单位:中核(北京)核仪器厂。 本标准主要起草人:李志勇。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GB/T13178-1991。 |
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