重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法已作废

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准号：GB/T 14847-1993

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：GB/T 14847-1993

发布时间：1993-01-02

实施时间：1994-09-01

首发日期：1993-12-30

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：

作废日期：2011-10-01

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属物理性能试验方法

ICS分类： 29.040.30

起草单位：机电部四十六所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布部门：国家技术监督局

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 已作废