ISO/DIS 22278:2020现行

单晶在许多应用中都很重要，从珠宝用合成宝石到固体激光器的主机。对于某些应用，陶瓷材料必须制备成单晶。当用作薄膜生长的基材（例如蓝宝石技术上的镓或超导薄膜的生长）时，单晶的结晶完美性是重要的。宽禁带半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）由于其优异的材料性能，如高临界电场，使其击穿电压至少比Si高10倍或导通电阻小100倍，在电力应用中受到了广泛的关注。SiC和GaN材料的这些独特性能使它们成为未来高功率、高频半导体器件的理想候选材料。在光学应用中，例如使用红宝石和钇铝石榴石（YAG）作为激光主机，使用石英和蓝宝石作为光学窗口，单晶被用来最小化能量的散射或吸收。在压电材料（如石英）中，单畴单晶的性能最佳。利用陶瓷单晶理想的光学、电学、磁学或机械特性的一些应用。自1990年基材（substrates）商业化以来，单晶的基材直径一直在稳步增加，近15年来晶体缺陷大大减少。商业设备是可用的，但它们的广泛使用将取决于种植者是否有能力提供大的、便宜的、无缺陷的材料。迄今为止，人们已经提出了各种测量单晶薄膜缺陷的方法，而测量大面积（2英寸、4英寸和6英寸等）单晶薄膜晶体质量（平均缺陷程度）的最典型方法是平行X射线衍射（XRD）法。但是，这种方法很容易产生很大的误差，因为根据用户的测量过程和条件或样品的预处理等，分析结果值相差很大。因此，制定一个通用的测量方法和条件的标准是十分必要的。本标准是用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）的晶体质量的标准。所有的单晶薄膜（晶圆）作为块状或外延层结构都包含在本标准的范围内。您可以联系中国国家标准委员会对本国际标准草案发表意见。意见征集于2020年3月31日结束。