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多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法现行

Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

标准号：GB/T 33236-2016

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基本信息

标准号：GB/T 33236-2016

发布时间：2016-12-13

实施时间：2017-11-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：卓尚军、钱荣、董疆丽、申如香、盛成、高捷、郑文平

出版机构：中国标准出版社

标准分类：基础标准与通用方法

ICS分类：化学分析

提出单位：全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所

归口单位：全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了采用辉光放电质谱(GD?MS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。?本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。?

替代情况

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多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 现行

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