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化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法现行

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

标准号：GB/T 26070-2010

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基本信息

标准号：GB/T 26070-2010

发布时间：2011-01-10

实施时间：2011-10-01

首发日期：2011-01-10

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属及半导体材料分析方法

ICS分类：金属材料的其他试验方法

起草单位：中国科学院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

标准简介

本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

标准摘要

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准由中国科学院半导体研究所负责起草。
本标准主要起草人:陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立。

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