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低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法现行

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准号：GB/T 24581-2009

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基本信息

标准号：GB/T 24581-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：2009-10-30

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。

标准摘要

本标准等同采用SEMIMF16300704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。
本标准与SEMIMF16300704相比,主要有如下变化:
---用实际测量到的红外谱图代替SEMIMF16300704标准中的图2、图3。
---用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMIMF16300704中给出的单一实验室测试精密度。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准主要起草人:梁洪、过惠芬、吴道荣。

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