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硅片径向电阻率变化的测量方法现行

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

标准号：GB/T 11073-2007

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基本信息

标准号：GB/T 11073-2007

发布时间：2007-12-18

实施时间：2008-02-01

首发日期：1989-03-31

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：梁洪、覃锐兵、王炎

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属及半导体材料分析方法

ICS分类：金属材料试验综合

提出单位：中国有色金属工业协会

起草单位：峨嵋山半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：中国有色金属工业协会

标准简介

本标准规定了用直排四探针法测量硅片径向电阻率变化的方法。

标准摘要

本标准是对GB/T11073-1989《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了ASTM F8101《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
本标准与ASTM F8101的一致性程度为修改采用,主要差异如下:
---删去了ASTM F8101第4章意义和用途。
本标准与GB/T11073-1989相比主要变化如下:
---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为GB/T1552,并将第2章规范性引用文件中的GB/T6615改为GB/T1552;
---采用ASTM F8101第8章计算中的计算方法替代原GB11073-1989中径向电阻率变化的计算方法;
---依据GB/T1552将电阻率的测量上限由1×103 Ω·cm 改为3×103 Ω·cm;
---将原GB/T11073-1989中第7章测量误差改为第4章干扰因素,并对其后各章章号作了相应调整;
---删去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965规定的直径偏差范围;
---将原GB/T11073-1989中的表2改为表1,并依据GB/T12965中的规定,在本标准中删去80.0mm 标称直径规格,增加了150.0mm 和200.0mm 标称直径规格。
本标准的附录A 是规范性附录。
本标准自实施之日起,同时代替GB/T11073-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:梁洪、覃锐兵、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11073-1989。

替代情况

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引用标准

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本标准相关公告

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采标情况

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