工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 现行
Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 4:Determination of impurity contents—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
标准号：GB/T 14849.4-2014
基本信息
标准号：GB/T 14849.4-2014
发布时间：2014-12-05
实施时间：2015-08-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：刘 维 理、王 劲 榕、李 跃 平、赵 德 平、杨 毅、赵 建 为、王 云 舟、王 宏 磊、聂 长 虹、刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 轻金属及其合金分析方法
ICS分类：铝和铝合金
起草单位：昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司
归口单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：中国有色金属工业协会
标准简介
GB/T14849的本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼含量的测定方法。本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼量的测定。
标准摘要
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GB/T14849《工业硅化学分析方法》分为9个部分: ———第1部分:铁含量的测定 1,10-二氮杂菲分光光度法; ———第2部分:铝含量的测定 铬天青-S分光光度法; ———第3部分:钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法、偶氮氯膦Ⅰ分光光度法; ———第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法; ———第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法; ———第6部分:碳含量的测定 红外吸收法; ———第7部分:磷含量的测定 钼蓝分光光度法; ———第8部分:铜含量的测定 PADAP分光光度法; ———第9部分:钛含量的测定 二安替比林甲烷分光光度法。 本部分为 GB/T14849的第4部分。 本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本部分代替 GB/T14849.4—2008《工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体发射光谱法测定元素含量》。与 GB/T14849.4—2008相比,主要技术变化如下: ———增加了铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼的检测; ———增加了两种溶样方式; ———补充了重复性限、再现性限实验数据。 本部分由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。 本部分负责起草单位:昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司。 本部分参加起草单位:云南出入境检验检疫局技术中心、通标标准技术服务有限公司、浙江合盛硅业有限公司、云南永昌硅业股份有限公司。 本部分主要起 草 人:刘 维 理、王 劲 榕、李 跃 平、赵 德 平、杨 毅、赵 建 为、王 云 舟、王 宏 磊、聂 长 虹、刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T14849.4—2008。 |
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