酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物现行

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

标准号：GB/T 24579-2009

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基本信息

标准号：GB/T 24579-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：2009-10-30

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：褚连青、王奕、魏利洁

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、鋉片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。

标准摘要

本标准修改采用SEMIMF1724-1104《采用酸萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污》。
本标准对SEMIMF1724-1104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录C 中列出了本标准章条和SEMIMF17241104章条对照一览表。并对SEMIMF17241104条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF17241104相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的、关键词。
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录B。
本标准的附录A、附录B和附录C 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:褚连青、王奕、魏利洁。

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