基本信息
标准号：GB/T 12962-2015
发布时间：2015-12-10
实施时间：2017-01-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、杨素心、由佰玲、李丽妍
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 元素半导体材料
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所等
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
标准简介
本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm 的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
标准摘要
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T12962—2005《硅单晶》。本标准与GB/T12962—2005相比,主要变化如下: ———增加了直径小于或等于50.8mm 直拉硅单晶及要求(见5.1.1); ———增加了直径200mm 区熔硅单晶及要求(见5.1.1); ———增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求(见5.2.1); ———修订了n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求(见5.2.1); ———增加了掺杂比为F5 的中子嬗变掺杂硅单晶的要求(见5.2.1); ———修订了掺杂比为F10 的中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求(见5.2.1); ———修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求(见5.2.1); ———“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容(见5.8); ———取样由文字描述改为表6; ———增加了订货单内容(见第9章)。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东泰卓光电科技股份有限公司。 本标准主要起草人:孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、杨素心、由佰玲、李丽妍。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。 |
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