半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法现行

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

标准号：GB/T 17170-2015

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：GB/T 17170-2015

发布时间：2015-12-10

实施时间：2016-07-01

首发日期：

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：何秀坤、李静、张雪囡

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属及半导体材料分析方法

ICS分类：金属材料试验

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)

起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。

标准摘要

本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
———修改了标准名称;
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T17170—1997。

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 现行

申请获取原文权限

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法现行