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离子束蚀刻机通用规范现行

General specification of ion beam etching system

标准号：GB/T 15861-2012

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基本信息

标准号：GB/T 15861-2012

发布时间：2012-11-05

实施时间：2013-02-15

首发日期：1995-12-22

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：陈特超、周大良

出版机构：中国标准出版社

标准分类：加工专用设备

ICS分类： 31-550

提出单位：中华人民共和国工业和信息化部

起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所

归口单位：中国电子技术标准化研究所

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：中国电子技术标准化研究所

标准简介

本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。本标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。

标准摘要

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T15861—1995《离子束蚀刻机通用技术条件》。
本标准与GB/T15861—1995相比主要变化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替,SJ2573—1985由SJ/T10674—1995代替;
———环境温度调整为20℃±10℃[见5.1a)];
———束能量范围调整为0~2000eV,可调(见5.4.1);
———表1中束流密度0.5mA/cm2 调整为≥0.3mA/cm2,1mA/cm2 调整为0.8mA/cm2(见表1);
增加束能量为2000eV 时束流密度≥1mA/cm2(见表1);
———有效束径规格增加了.50和.100两种,去掉了.60(见5.4.4);
———中和方式增加了“电子源中和器”(见5.4);
———对束流密度检测方法进行了更清楚的表述(见6.4.2);
———“膜厚均匀性为±5%的蚀刻样片”改为“膜厚均匀性优于±2%、厚度2μm、制备了掩膜图案的蚀刻样片”(见6.4.10);
———检验规则去掉例行检验项(见7);
———增加包装前检查的条款(见8.2.1)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人:陈特超、周大良。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T15861—1995。

替代情况

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