欢迎来到寰标网！客服QQ：772084082 加入会员

[个人会员] 登录/ 注册我的订单2 购物车我的收藏标准服务

当前位置： 首页 > 半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范

半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范现行

Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

标准号：SJ 50033/85-1995

获取原文如何获取原文？问客服获取原文，即可享受本标准状态变更提醒服务！

基本信息

标准号：SJ 50033/85-1995

发布时间：1995-05-25

实施时间：1995-12-01

首发日期：

起草人：

标准分类：技术管理

标准简介

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐认证机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~

推荐培训机构

申请入驻

暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~