欢迎来到寰标网! 客服QQ:772084082 加入会员

硅双栅场效应晶体管空白详细规范 已作废

Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors

标准号:GB/T 15450-1995

获取原文 如何获取原文?问客服 获取原文,即可享受本标准状态变更提醒服务!
基本信息

标准号:GB/T 15450-1995
发布时间:1995-01-05
实施时间:1995-08-01
首发日期:1995-01-05
起草人:
作废日期:2005-10-14
标准分类: 场效应器件
ICS分类:其他半导体器件
起草单位:上海无线电十四厂
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会
发布部门:国家技术监督局
主管部门:信息产业部(电子)

标准简介

本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则,制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个,并应与下列规范一起使用:GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》,GB 12560《半导体器件分立器件分规范》

替代情况

会员注册/登录后查看详情

引用标准

会员注册/登录后查看详情

本标准相关公告

会员注册/登录后查看详情

采标情况

会员注册/登录后查看详情

推荐检测机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~

推荐认证机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~

推荐培训机构
申请入驻

暂未检测到相关机构,邀您申请入驻~