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硅片厚度和总厚度变化测试方法现行

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

标准号：GB/T 6618-2009

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基本信息

标准号：GB/T 6618-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1986-07-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：卢立延、孙燕、杜娟

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：北京有研半导体材料股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

标准简介

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

标准摘要

本标准代替GB/T6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。
本标准与GB/T6618-1995相比,主要有如下变化:
---将适用范围扩展到外延片;
---增加了第4章干扰因素;
---增加了150mm 和200mm 两种规格的基准环的尺寸;
---增加了7.2仪器校正的内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人:卢立延、孙燕、杜娟。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB6618-1986、GB/T6618-1995。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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