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半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检现行

Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination

标准号：GB/T 4937.3-2012

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基本信息

标准号：GB/T 4937.3-2012

发布时间：2012-11-05

实施时间：2013-02-15

首发日期：2012-11-05

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：陈海蓉、李丽霞、崔波

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半导体分立器件综合

ICS分类：31.080.01

提出单位：中国电子科技集团公司第十三研究所

起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

标准简介

T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

标准摘要

GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成:
———第1部分:总则;
———第2部分:低气压;
———第3部分:外部目检;
———第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
———第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
———第6部分:高温贮存;
———第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
———第8部分:密封;
———第9部分:标志耐久性;
———第10部分:机械冲击;
———第11部分:快速温度变化双液槽法;
———第12部分:变频振动;
———第13部分:盐气;
———第14部分:引线牢固性(引线强度);
———第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
———第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
———第17部分:中子辐射;
———第18部分:电离辐射(总剂量);
———第19部分:芯片剪切强度;
———第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;
———第21部分:可焊性;
———第22部分:键合强度;
———第23部分:高温工作寿命;
———第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验;
———第25部分:温度循环;
———第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模式(HBM);
———第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模式(MM);
———第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验器件带电模式(CDM)(考虑中);
———第29部分:门锁试验;
———第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
———第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
———第33部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮;
———第34部分:功率循环;
———第35部分:塑封电子元器件的声学扫描;
———第36部分:恒定加速度;
———第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法; ———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;
———第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。
本部分是GB/T4937的第3部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-3:2002《半导体器件机械和气候试验方法第3部分:
外部目检》。
为便于使用,本部分做了下列编辑性修改:
a) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
b) 删除国际标准的前言。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:陈海蓉、李丽霞、崔波。

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