高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 现行
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
标准号：GB/T 24576-2009
基本信息
标准号：GB/T 24576-2009
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
首发日期：2009-10-30
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。
标准摘要
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本标准技术内容等同采用SMEIM630306《准则:采用高分辨率X 光衍射法测量砷化镓衬底上 AlGaAs中Al百分含量的测试方法》。本标准对SMEIM630306进行了编辑性修改。 本标准的附录A 为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。 本标准主要起草人:章安辉、黄庆涛、何秀坤。 |
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