当前位置：
首页 >
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 现行
Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
标准号：GB/T 34481-2017
基本信息
标准号：GB/T 34481-2017
发布时间：2017-10-14
实施时间：2018-07-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：惠峰、普世坤、董汝昆
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 金属化学性能试验方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。?本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm??2?、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
推荐检测机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐认证机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐培训机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
© 2018 北京寰标伟业科技发展有限公司版权所有并保留所有权利。
ICP备案证书号：京ICP备17031081号-1 客服电话：010-62050868
