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硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法现行

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

标准号：GB/T 14146-2009

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基本信息

标准号：GB/T 14146-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1993-02-06

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

标准摘要

本标准代替GB/T14146-1993《硅外延载流子浓度测定汞探针电容电压法》。
本标准与GB/T14146-1993相比,主要有如下变动:
---测量范围由原1013cm-3~1018cm-3改为4×1013cm-3~8×1016cm-3,并增加了对外延层厚度的测试要求和抛光片的测试适用性;
---增加了引用标准;
---增加了干扰因素;
---试剂中氢氟酸(ρ1.15g/mL)改为氢氟酸(分析纯),删除硝酸(ρ1.4g/mL),增加双氧水(分析纯),去离子水电阻率由大于2 MΩ·cm 改为大于10 MΩ·cm;
---对测量仪器及环境,样品处理,仪器校准,测量步骤的内容进行了全面修改;
---删除测量结果的计算;
---增加了重复性和再现性;
---增加了附录硅片接触良好测试的判定指标。
本标准的附录A 为规范性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。
本标准主要起草人:马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T14146-1993。

替代情况

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引用标准

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本标准相关公告

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采标情况

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