硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 已作废
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
标准号：GB/T 26068-2010
基本信息
标准号：GB/T 26068-2010
发布时间：2011-01-10
实施时间：2011-10-01
首发日期：2011-01-10
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯
作废日期：2019-11-01
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
起草单位：有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
标准简介
本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
标准摘要
|
本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。 本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。 |
标准目录
| 前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 检测方法概述 2 5 干扰因素 3 6 设备 4 7 试剂 5 8 取样及样片制备 5 9 测试步骤 7 10 报告 8 11 精密度和偏差 8 附录A (规范性附录) 注入水平的修正 9 附录B(资料性附录) 注入水平的相关探讨 10 附录C (资料性附录) 载流子复合寿命与温度的关系 13 附录D (资料性附录) 少数载流子复合寿命 16 附录E (资料性附录) 测试方法目的和精密度 19 参考文献 20 |
推荐检测机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐认证机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
推荐培训机构
申请入驻
暂未检测到相关机构，邀您申请入驻~
© 2018 北京寰标伟业科技发展有限公司版权所有并保留所有权利。
ICP备案证书号：京ICP备17031081号-1 客服电话：010-62050868
