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硅片电阻率测定扩展电阻探针法现行

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

标准号：GB/T 6617-2009

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基本信息

标准号：GB/T 6617-2009

发布时间：2009-10-30

实施时间：2010-06-01

首发日期：1986-07-26

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属与半导体材料综合

ICS分类：半导体材料

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

标准简介

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

标准摘要

本标准代替GB/T6617-1995《硅片电阻率测定扩展电阻探针法》。
本标准与GB/T6617-1995相比,主要有如下变化:
---引用标准中删去硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法;
---方法原理中删去单探针和三探针的原理图并增加了扩展电阻原理公式(1)及其三个假定条件;
---增加了干扰因素;
---测量仪器和环境增加了自动测量仪器的范围和精度;
---对原测量程序进行全面修改;
---删去测量结果计算。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等。
本标准代替标准的历次版本发布情况为:
---GB6617-1986、GB/T6617-1995。

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