基本信息
标准号：GB/T 14139-2009
发布时间：2009-10-30
实施时间：2010-06-01
首发日期：1993-02-06
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：许峰、刘培东、李慎重、谌攀
作废日期：2020-05-01
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属与半导体材料综合
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
标准简介
本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在Ｎ 型硅抛光片衬底上生长的ｎ型外延层（Ｎ／Ｎ＋ ）和在ｐ型硅抛光片衬底上生长的Ｐ型外延层（Ｐ／Ｐ＋ ）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。
标准摘要
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本标准代替GB/T14139-1993《硅外延片》。 本标准与原标准相比,主要有如下变动； ---删除了引用标准YS/T23《硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》和YS/T28《硅片包装》; ---增加了引用标准GB/T14141《硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》和GB/T14847《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》; ---修改了产品规格规范,去除原标准中50.8 mm、80 mm、90 mm 三个规格,增加了直径尺寸125mm 和150mm; ---在产品牌号中增加衬底掺杂内容; ---衬底掺杂元素中增加衬底掺杂元素磷(P); ---对外延层中心电阻率、径向电阻率和外延层厚度进行了修订,对其允许偏差进行加严; ---修改了外延层厚度测量方法,对外延片表面缺陷检测方法进行加严; ---修改了合格质量水平(AQL)规定,增加了表面质量、位错等检验项目合格质量水平规定。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位；宁波立立电子股份有限公司。 本标准主要起草人；许峰、刘培东、李慎重、谌攀。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为； ---GB/T14139-1993。 |
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