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碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 现行
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
标准号：GB/T 30867-2014
基本信息
标准号：GB/T 30867-2014
发布时间：2014-07-24
实施时间：2015-02-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 化合物半导体材料
ICS分类：半导体材料
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm 的碳化硅单晶片
标准摘要
|
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。 |
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