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硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) 已废止

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)

标准号：SJ 1551-1979

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基本信息

标准号：SJ 1551-1979

发布时间：1980-03-01

实施时间：1980-06-01

首发日期：

起草人：

作废日期：2010-02-01

标准分类：半金属

发布部门：中华人民共和国第四机械工业部

标准简介

本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。

替代情况

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引用标准

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采标情况

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