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硅片局部平整度非接触式标准测试方法现行

Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

标准号：GB/T 19922-2005

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基本信息

标准号：GB/T 19922-2005

发布时间：2005-09-19

实施时间：2006-04-01

首发日期：2005-09-19

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：史炯、蒋建国、陈兴邦、贺东江、王文、邓德翼

出版机构：中国标准出版社

标准分类：半金属及半导体材料分析方法

ICS分类：金属材料试验综合

提出单位：中国有色金属工业协会

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：信息产业部（电子）

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国家标准化管理委员会

主管部门：信息产业部（电子）

标准简介

本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。

替代情况

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