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非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法现行

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

标准号：GB/T 4326-2006

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基本信息

标准号：GB/T 4326-2006

发布时间：2006-07-18

实施时间：2006-11-01

首发日期：1984-04-12

出版单位：中国标准出版社查看详情>

起草人：王彤涵

出版机构：中国标准出版社

标准分类：金属物理性能试验方法

ICS分类：金属材料试验综合

提出单位：中国有色金属工业协会

起草单位：北京有色金属研究总院

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会

发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会

主管部门：中国有色金属工业协会

标准简介

本标准规定的测量方法适用于非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达104Ω·cm

替代情况

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引用标准

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非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行