硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 现行
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
标准号：GB/T 35306-2017
基本信息
标准号：GB/T 35306-2017
发布时间：2017-12-29
实施时间：2018-07-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：金属材料试验
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准简介
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
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