纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 现行
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
标准号：GB/T 33657-2017
基本信息
标准号：GB/T 33657-2017
发布时间：2017-05-12
实施时间：2017-12-01
首发日期：
出版单位：中国标准出版社查看详情>
起草人：陈一峰、陈小刚、宋志棠
出版机构：中国标准出版社
标准分类： 半导体集成电路
ICS分类：集成电路、微电子学
提出单位：中国科学院
起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
主管部门：中国科学院
标准简介
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。?本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。?本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。?
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